FET功率放大器电路图(FET的基本应用:共源放大器)

1)静态工作点测试

上图是FET共源放大器的实验电路图。该电路使用自偏置来建立放大器的静态工作点。大门通过R1接地。因为没有电流流过R1，所以栅极与地等电位。即VG=0，静态工作点的IDQ和VDSQ值可以用万用表测得。

2)输入和输出阻抗的测试

(1)输入阻抗的测量

上图是伏安测试放大器电路的连接图。输入回路中串联一个采样电阻R，输入信号调节放大电路中晶体管毫对地的交流电压VS和Vi，使两端电压为VR=VS-Vi，流过电阻R的电流实际上就是放大电路的输入电流Ii。

根据输入电阻的定义

2)输出阻抗的测量

放大器的输出阻抗表示放大器在负载下的容量。用伏安法测试放大电路输出阻抗的测试电路如下图所示。放大器的输出阻抗表示放大器在负载下的容量。用伏安法测试放大电路输出阻抗的测试电路如下图所示。

输入信号的频率仍然选择在放大电路的中频段，输入信号的大小仍然要调整以保证输出信号不失真，所以输出信号的波形仍然需要用示波器来监测。

第一步是在不连接负载RL的情况下，用毫伏表测量输出电压V01。

第二步是在连接负载RL时，用毫伏表测量输出电压V02。规则

3)高输入阻抗Zi的测试

前面介绍了一般放大器输入阻抗的测量方法，以场效应管源跟随器为例介绍了高输入放大器输入阻抗的测量方法。

类似于源极跟随器的高输入阻抗放大器的输入阻抗通常可以等效于输入电阻器Zi和输入电容器Ci的并联连接。因此，输入阻抗Zi的值只能通过区分Ri和Ci的值来确定。

测量ri，因为被测电路的输入阻抗很高，可以用毫伏表的输入阻抗来比较。如果毫伏表直接接在被测放大电路的输入端，会造成严重的测试误差。为了减少小型毫伏表并联带来的测量误差，要求毫伏表的输入电阻远大于被测电路的输入电阻，一般为20倍以上。对于普通毫伏表来说，不能满足这个要求。但是被测电路是具有高输入阻抗和低输出阻抗的源跟随器。因此，可以测量放大器电路的输入电压，而不是直接测量。

如图所示，电路中串联一个阻值较大的采样电阻R。测试期间，首先将电阻R短路，以测量放大器的输出电压，U01=Au.Ui，然后移除R的短路，并测量输出电压U02。由于Au和Ui在两次测试中保持不变，因此放大器电路的输入电阻可由上述两个等式获得，如下所示

基本要求

(1)结型场效应晶体管的特性曲线测试

A.传递特性曲线测试

根据接线图，调节VDD至VDS=5V，然后调节RW(10K)电位器使VGS分别处于0V、-0.1V、-0.2V、-0.3 v、-0.4V、-0.5V、-0.6V、-1 V、-2 V 2V，在坐标纸上对应测量并记录对应的漏电流ID。

B.结型场效应晶体管漏极特性曲线的测试

调整Rw电位器的信息源网络，固定VGS=0V，调整VDD使FET的漏源电压VDS分别为0V、1V、2V、4V、6V、8V、10V，测量相应的ID值，然后在曲线图纸上将所有点连成一条光滑的曲线。可以获得VGS=0V的漏极特性曲线。

C.调整RW，将VGS分别固定为-0.3V和-0.5V，重复上述步骤，得到VGS=-0.3V和VGS =-0.5V时的另外两条特性曲线

D.跨导gm的测试:根据转移特性曲线的值，计算VGS在-0.1v和-0.2v之间时的跨导:

(2)连接一个结型FET共源共栅电路。

调整Rs使VSQ =-0.2V，测量并记录VDSQ和IDQ。给定输入正弦波信号Vi有效值=150mv f=1000HZ VDD=12V RL=20k，选择2SK163(N沟道耗尽型FET)。

(3)测量并记录电路的放大系数Av、输入阻抗Ri和输出阻抗Ro。