场效应晶体管参数(你必须知道)

什么是场效应管？场效应晶体管简称场效应晶体管。有两种主要类型:结型场效应晶体管——JFET和金属氧化物半导体场效应晶体管(简称金属氧化物半导体场效应晶体管)。场效应管的基本参数是什么？

(1)场效应晶体管的基本参数

(1)夹断电压UP，也称为截止栅电压UGS(OFF)，是耗尽型结型FET或耗尽型绝缘栅型FET的源极接地时，将漏极-源极输出电流降至零所需的栅源电压UGS。

②导通电压UT，又称阀电压，是当漏源电压UDS为一定值时，能使增强型绝缘栅FET的漏源开始导通的最小栅源电压UGS。

③饱和漏电流IDSS是偏置电压为零(即栅源电压UGS为零)，漏源电压UDS大于夹断电压Up时耗尽型FET的漏极电流。

④击穿电压BUDS和BUGS

A.漏源击穿电压BUDS。也叫漏源耐压，是当FET的漏源电压UDS增大到一定值，使得漏电流ID突然增大，不受栅极电压控制时的最大漏源电压。

B.网格源击穿电压BUGS。是场效应晶体管栅极和源极之间的最大工作电压。

⑤耗散功率PD也叫漏极耗散功率，约等于漏极-源极电压UDS与漏极电流ID的乘积。

⑥漏电流IGSS是反向偏置施加到场效应管栅沟道结时产生的反向电流。

⑦ DC输入电阻RGS，又称栅源绝缘电阻，是FET在反向偏置电压作用下的栅沟道电阻，约等于栅源电压UGS与栅电流之比。

⑧漏源动态电阻RDS是漏源电压UDS的变化与漏电流ID的变化之比，一般大于几千欧姆。

⑨低频跨导gm，也叫放大特性，是栅极电压UG对漏极电流ID的控制能力，类似三极管的电流放大值。

⑩极间电容是FET各极间分布电容形成的杂散电容。栅电容(输入电容)CGS和栅漏电容cGD的电容为1~3pF，漏源电容CDS的电容为0.1~1pF。

场效应晶体管的主要参数

1.导通电压

通常，导电沟道刚形成，漏极电流ID出现时的栅源电压称为导通电压，用UGS(th)或UT表示。

导通电压UT是MOS增强型晶体管的一个参数。当栅源电压UGS小于导通电压的绝对值时，场效应晶体管不能导通。

2.夹断电压上升(JFET)

当UDS为固定值(如10V)，ID等于小电流(如50mA)时，栅极和源极之间施加的电压为夹断电压。当UGS =上升时，漏极电流为零。

3.饱和漏极电流IDSS (JFET)

饱和漏极电流IDSS是在UGS =0的条件下，FET被预夹断时的漏极电流。IDSS场效应管可以输出的最大电流。

4.DC输入电阻RGS

DC电阻RGS是施加漏极-源极短路和栅极-源极电压时栅极和源极之间的DC电阻。

结型场效应管:RGS》107MOS晶体管:RGS 109 ~ 1015。

5.跨导Gm

漏电流微变量与栅源电压微变量之比，即gm=△ID/△UGS。它是衡量场效应晶体管栅源电压对漏电流控制能力的一个参数。Gm相当于三极管的hFE。

6.最大功耗

最大漏极功耗PD=UDSID，相当于三极管的PCM。以上对激素场效应晶体管的常见参数进行了分析，希望对大家有所帮助。