场效应晶体管符号(参数、结构、原理、应用电路)

场效应晶体管简介

场效应晶体管简称FET，或简称FET。

场效应晶体管是一种半导体放大器，不仅具有晶体管体积小、省电耐用的优点，还具有输入阻抗高(8 ~ 9欧姆10)、噪声低、热稳定性好、功耗低、动态范围大、抗辐射能力强、易于集成、无二次击穿、安全工作区域广等优点。

FET的缺点是容易被静电高压击穿。

场效应晶体管和晶体管的区别

晶体管的载流子是空空穴和电子，所以晶体管又叫双极晶体管。

场效应管载流子只有空个空穴或者只有电子，所以也叫单极晶体管。

晶体管是电流控制器件，而场效应晶体管是电压控制器件。

场效应晶体管的类型

场效应晶体管分为结型和绝缘栅型。

见下文

结型场效应晶体管利用沟道两侧耗尽层的宽度来改变沟道电导率，从而控制漏极电流。

绝缘场效应管根据传感中的电荷量，通过改变沟道导通特性来控制漏极电流。

场效应晶体管物理图

p沟道结型场效应晶体管

n沟道结型场效应晶体管

场效应晶体管的电路符号

电路符号表示场效应晶体管的类型，主要包括极性、材料、类型、规格号等。

场效应管的电路图形符号可以表示其种类。

场效应晶体管电路图形符号的理解和记忆方法

场效应晶体管的结构

下图是N沟道结型场效应管的结构和工作原理示意图。可以看到，它使用了一个N型半导体，在它的上面和下面引出一个电机，分别叫做漏极D和源极S。在N型半导体的两侧，设置一小块P型半导体，它们作为栅极G连接，使得G、S、G和D之间分别出现PN结。

三种DC电压偏置分析如下:

通过以上分析，通过改变G和S之间的反向偏置电压，可以改变流经沟道的电流，换句话说，栅极电压可以控制漏极电流。

这表明场效应晶体管是一种电压控制器件。

下图是N沟道绝缘栅场效应晶体管的示意图。在两个N型区之间形成一层薄的N型硅，从而形成一个N型沟道。在N沟道上增加一层绝缘材料二氧化硅，在绝缘层增加铝电极作为栅极g。

如果在G和S之间施加电压，那么G极铝层和P型衬底之间的间隙就像一个以绝缘层为介质的平行板电容器。改变G极和S极之间的间隙可以改变N型沟道的电阻。

场效应晶体管的工作原理

场效应晶体管的主要参数

场效应晶体管的封装形式和引脚分布规律

场效应晶体管电路示例

场效应管在开关电源电路开关振荡电路中的应用

开关集成电路U101中的振荡器开始振动，为场效应晶体管Q101的栅极G提供振荡信号，场效应晶体管开始振荡，使得开关变压器T101的初级线圈产生开关电流，开关变压器的次级线圈产生感应电流， 三个引脚的输出经过整流滤波后形成正反馈电压，施加在U101的七个引脚上，维持振荡电路的运行，使开关电源进入正常工作状态。 场效应晶体管作为该电路中的脉冲放大器，用于实现开关振荡功能。信息网络