性能特征
1。光源采用进口高亮度LED,节能高效。A型有效照射距离可达250米以上,强光和弱光可自由切换。
2。全密封设计,防水高达1米。电池采用大容量环保锂电池,使用寿命长,自放电率低。
3。外壳深度防滑,轻巧美观;除了手扶,还可以选择用尾绳手扶或者用长绳肩扛。
4。充电、放电、恒流由芯片智能控制,多重保护,安全高效。
发光原理
[div][div]发光二极管由ⅲ-ⅳ类化合物制成,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷化镓)等半导体,其核心是PN结。因此具有一般pn结的I-N特性,即正向导通、反向截止和击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在直流电压下,电子从n区注入p区,而空空穴从p区注入n区。进入相对区域的部分少数载流子(少数载流子)与多数载流子(多载流子)复合发光,如图1所示。
[/div]假设发光发生在p区,注入的电子直接与价带空空穴复合发光,或者先被发光中心俘获后再与空空穴复合发光。除了这种发光复合,还有一些电子被非发光中心(这个中心在导带和介电带中间附近)俘获,然后与空空穴复合,每次释放的能量很少,无法形成可见光。发光复合与不发光复合的比例越大,光的量子效率越高。因为复合在少数载流子扩散区发光,所以光仅在PN结表面附近的几个微米内产生。
[div][div]理论和实践证明,光的峰值波长λ与半导体材料在发光区的带隙Eg有关,即,
λ≈1240/Eg(mm)
在中,Eg的单位是电子伏特(eV)。如果能产生可见光(波长380纳米~ 780纳米的紫光~波长~ 780纳米的红光),半导体材料的Eg应该在3.26 ~ 1.63 eV之间。波长比红光长的光是红外光。它没有被广泛使用。
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